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FQP9N50

工場モデル FQP9N50
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
パッケージ TO-220-3
株式 5689 pcs
データシート FQP9N50TO220B03 Pkg DrawingMultiple Devices 14/Mar/2011onsemi REACHonsemi RoHS
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5689のonsemi FQP9N50の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 250µA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
シリーズ QFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 730mOhm @ 4.5A, 10V
電力消費(最大) 147W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1450 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 36 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 500 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9A (Tc)
基本製品番号 FQP9

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FQP9N50 データテーブルPDF

データシート