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FQP55N10 Image
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FQP55N10

工場モデル FQP55N10
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3
パッケージ TO-220-3
株式 92978 pcs
データシート TO220B03 Pkg DrawingTape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 30/Jun/2022onsemi RoHSMFG Site Addition 09/Mar/2020FQP55N10
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.878 $0.787 $0.633 $0.52 $0.431
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。92978のonsemi FQP55N10の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
シリーズ QFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 26mOhm @ 27.5A, 10V
電力消費(最大) 155W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2730 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 98 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 55A (Tc)
基本製品番号 FQP55

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FQP55N10 データテーブルPDF

データシート