FQP55N10
工場モデル | FQP55N10 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3 |
パッケージ | TO-220-3 |
株式 | 92978 pcs |
データシート | TO220B03 Pkg DrawingTape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 30/Jun/2022onsemi RoHSMFG Site Addition 09/Mar/2020FQP55N10 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.878 | $0.787 | $0.633 | $0.52 | $0.431 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±25V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 |
シリーズ | QFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 26mOhm @ 27.5A, 10V |
電力消費(最大) | 155W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2730 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 98 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 55A (Tc) |
基本製品番号 | FQP55 |
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