FQN1N50CTA
| 工場モデル | FQN1N50CTA |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3 |
| パッケージ | TO-92-3 |
| 株式 | 492999 pcs |
| データシート | Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi RoHSMult Dev EOL 30/Mar/2023Drawing Update 18/Apr/2021Wafer Fab 28/Jul/2021FQN1N50C |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.221 | $0.194 | $0.149 | $0.118 | $0.094 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。492999のonsemi FQN1N50CTAの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 |
| シリーズ | QFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6Ohm @ 190mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 890mW (Ta), 2.08W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 195 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.4 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 380mA (Tc) |
| 基本製品番号 | FQN1N50 |
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