FQH8N100C
| 工場モデル | FQH8N100C |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3 |
| パッケージ | TO-247-3 |
| 株式 | 43852 pcs |
| データシート | Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Dimension/Color Change 24/Feb/2021Mult Dev EOL 23/Dec/2021onsemi REACHonsemi RoHSMult Dev Assembly/DS Chg 6/Jan/2019Packing quantity increase 28/Dec/2020FQH8N100C |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.007 | $1.803 | $1.477 | $1.258 | $1.061 | $1.008 |
納期
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RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
| シリーズ | QFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.45Ohm @ 4A, 10V |
| 電力消費（最大） | 225W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3220 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) |
| 基本製品番号 | FQH8N100 |
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