FQD10N20LTM
| 工場モデル | FQD10N20LTM |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252 |
| パッケージ | D-Pak |
| 株式 | 82603 pcs |
| データシート | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Description Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 30/Jun/2022onsemi RoHSMult Dev Site Add 14/Oct/2020FQD10N20L |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 |
|---|---|
| $0.457 | $0.41 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak |
| シリーズ | QFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 360mOhm @ 3.8A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 51W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 830 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.6A (Tc) |
| 基本製品番号 | FQD10N20 |
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