Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > FQA40N25
FQA40N25 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

FQA40N25

工場モデル FQA40N25
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN
パッケージ TO-3PN
株式 60658 pcs
データシート Wafer Fab Change 27/Dec/2022Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Dimension/Color Change 24/Feb/2021onsemi REACHonsemi RoHSPacking quantity increase 28/Dec/2020FQA40N25
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.394 $1.252 $1.026 $0.873 $0.736 $0.699 $0.673
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。60658のonsemi FQA40N25の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 250µA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-3PN
シリーズ QFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 70mOhm @ 20A, 10V
電力消費(最大) 280W (Tc)
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4000 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 110 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 250 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 40A (Tc)
基本製品番号 FQA40

おすすめ商品

FQA40N25 データテーブルPDF

データシート