FQA19N60
工場モデル | FQA19N60 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
パッケージ | TO-3PN |
株式 | 3778 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3778のonsemi FQA19N60の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PN |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 380mOhm @ 9.3A, 10V |
電力消費(最大) | 300W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3600 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 90 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 18.5A (Tc) |
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