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FGA50N100BNTD2

工場モデル FGA50N100BNTD2
メーカー onsemi
詳細な説明 IGBT 1000V 50A 156W TO3P
パッケージ TO-3P
株式 5190 pcs
データシート Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Dimension/Color Change 24/Feb/2021Mult Dev EOL 29/Jan/2021onsemi REACHonsemi RoHSPacking quantity increase 28/Dec/2020Mold compound change 17/Sep/2019FGA50N100BNTD2
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5190のonsemi FGA50N100BNTD2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 1000 V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大) 2.9V @ 15V, 60A
試験条件 600V, 60A, 10Ohm, 15V
Td(オン/オフ)@ 25℃ 34ns/243ns
エネルギーの切り替え -
サプライヤデバイスパッケージ TO-3P
シリーズ -
逆回復時間(trrの) 75 ns
電力 - 最大 156 W
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3
製品属性 属性値
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力タイプ Standard
IGBTタイプ NPT and Trench
ゲートチャージ 257 nC
電流 - コレクタパルス(ICM) 200 A
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 50 A
基本製品番号 FGA50N100

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FGA50N100BNTD2 データテーブルPDF

データシート