FDY100PZ-G
| 工場モデル | FDY100PZ-G |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH SC89 |
| パッケージ | SOT-523F |
| 株式 | 4157 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4157のonsemi FDY100PZ-Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-523F |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 446mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | SC-89, SOT-490 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 100 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.4 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 350mA (Ta) |
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