FDS6675
| 工場モデル | FDS6675 |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC |
| パッケージ | 8-SOIC |
| 株式 | 4689 pcs |
| データシート | Mold Compound 12/Dec/2007Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018Mult Dev EOL 17/Aug/2020onsemi REACHonsemi RoHSKorea Fab Site Add 3/Jan/2017FDS6675 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
| シリーズ | PowerTrench® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14mOhm @ 11A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3000 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 42 nC @ 5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta) |
| 基本製品番号 | FDS66 |
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