Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > FDS2670
FDS2670 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

FDS2670

工場モデル FDS2670
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
パッケージ 8-SOIC
株式 96695 pcs
データシート Mold Compound 12/Dec/2007Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018onsemi RoHS
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.704 $0.631 $0.508 $0.417 $0.346
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。96695のonsemi FDS2670の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4.5V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 130mOhm @ 3A, 10V
電力消費(最大) 2.5W (Ta)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1228 pF @ 100 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 43 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3A (Ta)
基本製品番号 FDS26

おすすめ商品

FDS2670 データテーブルPDF

データシート