Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > FDPF4D5N10C
FDPF4D5N10C Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

FDPF4D5N10C

工場モデル FDPF4D5N10C
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 128A TO220F
パッケージ TO-220F-3
株式 27200 pcs
データシート onsemi REACHonsemi RoHSAssembly/Test Site 14/Dec/2022FDP4D5N10C, FDPF4D5N10C
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000
$2.394 $2.151 $1.763 $1.5 $1.265 $1.202
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。27200のonsemi FDPF4D5N10Cの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 310µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220F-3
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 4.5mOhm @ 100A, 10V
電力消費(最大) 2.4W (Ta), 37.5W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5065 pF @ 50 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 68 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 128A (Tc)
基本製品番号 FDPF4

おすすめ商品

FDPF4D5N10C データテーブルPDF

データシート

Loading...