FDP150N10A-F102
| 工場モデル | FDP150N10A-F102 |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3 |
| パッケージ | TO-220-3 |
| 株式 | 102481 pcs |
| データシート | FDP150N10A_F102Mult Device Part Number Chg 30/May/2017Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi RoHSMult Dev Mold Chg 28/Oct/2019 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.954 | $0.857 | $0.689 | $0.566 | $0.469 | $0.437 | $0.421 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 |
| シリーズ | PowerTrench® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15mOhm @ 50A, 10V |
| 電力消費（最大） | 91W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1440 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) |
| 基本製品番号 | FDP150 |
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