Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > FDN028N20
FDN028N20 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

FDN028N20

工場モデル FDN028N20
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
パッケージ SOT-23-3
株式 595709 pcs
データシート Mult Devices 24/Oct/2017onsemi RoHSMarking Lay-out Implementation 07/Oct/2022Marking Lay-out Implementation 15/Nov/2021SSOT3 Assembly/Test Chg 7/Jul/2020FDN028N20
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.194 $0.167 $0.125 $0.098 $0.076
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。595709のonsemi FDN028N20の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
電力消費（最大） 1.5W (Tc)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 600 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 6 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6.1A (Tc)
基本製品番号 FDN028

おすすめ商品

FDN028N20 データテーブルPDF

データシート

FDN028N20に関連した語彙

FDN028N20関連コンポーネント