FDMS8570S
工場モデル | FDMS8570S |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 |
パッケージ | 8-PQFN (5x6) |
株式 | 215279 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
544 |
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$0.207 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 1mA |
Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) |
シリーズ | PowerTrench®, SyncFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.8mOhm @ 24A, 10V |
電力消費(最大) | 2.5W (Ta), 48W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2825 pF @ 13 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 425 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 25 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 24A (Ta), 60A (Tc) |
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