Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > FDMS4D0N12C
onsemi

FDMS4D0N12C

工場モデル FDMS4D0N12C
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
パッケージ 8-PQFN (5x6)
株式 39225 pcs
データシート onsemi RoHSMult Dev Retraction 4/Jan/2023FDMS4D0N12CParameters Maximum Limit Update 24/Nov/2021
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$1.859 $1.669 $1.367 $1.164 $0.982
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。39225のonsemi FDMS4D0N12Cの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 370A
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-PQFN (5x6)
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4mOhm @ 67A, 10V
電力消費（最大） 2.7W (Ta), 106W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 6460 pF @ 60 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 82 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 120 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 18.5A (Ta), 114A (Tc)
基本製品番号 FDMS4

おすすめ商品

FDMS4D0N12C データテーブルPDF

データシート

FDMS4D0N12Cに関連した語彙

FDMS4D0N12C関連コンポーネント