FDMS1D4N03S
| 工場モデル | FDMS1D4N03S |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN |
| パッケージ | 8-PQFN (5x6) |
| 株式 | 5594 pcs |
| データシート | FDMS1D4N03SPT9 Dev Mask Chg 24/Oct/2019Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 8/Apr/2021onsemi REACHonsemi RoHS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±16V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) |
| シリーズ | PowerTrench®, SyncFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.09mOhm @ 38A, 10V |
| 電力消費（最大） | 74W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10250 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 65 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | Schottky Diode (Body) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 211A (Tc) |
| 基本製品番号 | FDMS1D4 |
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