FDMC6686P
工場モデル | FDMC6686P |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN |
パッケージ | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
株式 | 4356 pcs |
データシート | Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 01/Oct/2021onsemi REACHonsemi RoHSFDMC6686PFDMC668xP 08/Mar/2023 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
シリーズ | PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4mOhm @ 18A, 4.5V |
電力消費(最大) | 2.3W (Ta), 40W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 13200 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 122 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 18A (Ta), 56A (Tc) |
基本製品番号 | FDMC6686 |
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