FDG6308P
| 工場モデル | FDG6308P |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 |
| パッケージ | SC-88 (SC-70-6) |
| 株式 | 5509 pcs |
| データシート | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014Mold Compound 07/May/2008Mult Devices 24/Oct/2017Obsolete Notice 15/Dec/2022onsemi RoHS2N7002x/BSSx/FDGx/FDVx/NDS06x 10/May/2022Wafer Fab 02/Aug/2020FDG6308P |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-88 (SC-70-6) |
| シリーズ | PowerTrench® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 400mOhm @ 600mA, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 300mW |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 153pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 600mA |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | FDG6308 |
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