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FDG311N

工場モデル FDG311N
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
パッケージ SC-88 (SC-70-6)
株式 4347 pcs
データシート Binary Year Code Marking 15/Jan/2014Mold Compound 12/Dec/2007Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi RoHSFDG311NMult Dev Assembly/Test 9/Jan/2019
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4347のonsemi FDG311Nの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 1.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SC-88 (SC-70-6)
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 115mOhm @ 1.9A, 4.5V
電力消費（最大） 750mW (Ta)
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 270 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 4.5 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.9A (Ta)
基本製品番号 FDG311

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データシート

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