FDD8N50NZTM
工場モデル | FDD8N50NZTM |
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メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK |
パッケージ | TO-252AA |
株式 | 85729 pcs |
データシート | Description Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 30/Jun/2022onsemi REACHonsemi RoHSMult Dev 13/Aug/2020FDD8N50NZ |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 |
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$0.534 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±25V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA |
シリーズ | UniFET-II™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 850mOhm @ 3.25A, 10V |
電力消費(最大) | 90W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 735 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 18 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.5A (Tc) |
基本製品番号 | FDD8N50 |
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