FDD3510H
| 工場モデル | FDD3510H |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252 |
| パッケージ | TO-252 (DPAK) |
| 株式 | 5467 pcs |
| データシート | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Description Chg 01/Apr/2016Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 24/Dec/2021Mult Dev EOL 14/Jan/2022onsemi REACHonsemi RoHSKorea Fab Site Add 3/Jan/2017FDD3510H |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252 (DPAK) |
| シリーズ | PowerTrench® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 80mOhm @ 4.3A, 10V |
| 電力 - 最大 | 1.3W |
| パッケージ/ケース | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 800pF @ 40V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18nC @ 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.3A, 2.8A |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel, Common Drain |
| 基本製品番号 | FDD3510 |
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