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FDD18N20LZ Image
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FDD18N20LZ

工場モデル FDD18N20LZ
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
パッケージ TO-252AA
株式 131050 pcs
データシート Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Postponed Qualification 27/Dec/2022Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHSAssembly Change 28/May/2023FDD18N20LZ
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.662 $0.594 $0.477 $0.392 $0.325
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。131050のonsemi FDD18N20LZの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-252AA
シリーズ UniFET™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 125mOhm @ 8A, 10V
電力消費（最大） 89W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1575 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 40 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 16A (Tc)
基本製品番号 FDD18N20

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データシート

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