FDC6301N_G
| 工場モデル | FDC6301N_G |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6 |
| パッケージ | SuperSOT™-6 |
| 株式 | 6285 pcs |
| データシート | Mult Device EOL 19/May/2017Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHS |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SuperSOT™-6 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4Ohm @ 400mA, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 700mW |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9.5pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 220mA |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | FDC6301 |
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