Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > FCU5N60TU
onsemi

FCU5N60TU

工場モデル FCU5N60TU
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK
パッケージ I-PAK
株式 4599 pcs
データシート FCxU5N60Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 30/Jun/2022onsemi REACHonsemi RoHSWafer Fabrication 04/Feb/2013
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4599のonsemi FCU5N60TUの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 250µA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ I-PAK
シリーズ SuperFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 950mOhm @ 2.3A, 10V
電力消費(最大) 54W (Tc)
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 600 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 16 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4.6A (Tc)
基本製品番号 FCU5N60

おすすめ商品

FCU5N60TU データテーブルPDF

データシート