FCH190N65F-F155
工場モデル | FCH190N65F-F155 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247 |
パッケージ | TO-247-3 |
株式 | 31635 pcs |
データシート | Mult Device Part Number Chg 30/May/2017Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Dimension/Color Change 24/Feb/2021onsemi REACHonsemi RoHSPacking quantity increase 28/Dec/2020Mold Compound Change 17/Dec/2021FCH190N65F_F155 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
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$2.754 | $2.475 | $2.028 | $1.726 | $1.456 | $1.383 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 2mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
シリーズ | FRFET®, SuperFET® II |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 190mOhm @ 10A, 10V |
電力消費(最大) | 208W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3225 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 78 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20.6A (Tc) |
基本製品番号 | FCH190 |
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