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onsemi

FAM65HR51DS2

工場モデル FAM65HR51DS2
メーカー onsemi
詳細な説明 IGBT MODULE 650V 33A 135W
パッケージ Tube
株式 4055 pcs
データシート Improve FAB Process Variation 16/Feb/2023Tube Design Change 11/Nov/2022onsemi REACHonsemi RoHSFAM65HR51DS1,S2,S3
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4055のonsemi FAM65HR51DS2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 650 V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大) -
シリーズ -
電力 - 最大 135 W
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
NTCサーミスタ No
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(量Cies)@ Vceは 4.86 nF @ 400 V
入力 Standard
IGBTタイプ -
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 33 A
コンフィギュレーション Half Bridge Inverter
基本製品番号 FAM65

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FAM65HR51DS2 データテーブルPDF

データシート