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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル > 2N5195G
2N5195G Image
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2N5195G

工場モデル 2N5195G
メーカー onsemi
詳細な説明 TRANS PNP 80V 4A TO126
パッケージ TO-126
株式 389879 pcs
データシート onsemi REACHonsemi RoHSAssembly Change 28/Dec/20202N5194, 95
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.309 $0.278 $0.217 $0.179 $0.141 $0.132 $0.125 $0.121
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。389879のonsemi 2N5195Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 80 V
IB、IC @ Vce飽和（最大） 1.4V @ 1A, 4A
トランジスタ型式 PNP
サプライヤデバイスパッケージ TO-126
シリーズ -
電力 - 最大 40 W
パッケージ/ケース TO-225AA, TO-126-3
パッケージ Bulk
製品属性 属性値
運転温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
周波数 - トランジション 2MHz
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 20 @ 1.5A, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大） 1mA
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 4 A
基本製品番号 2N5195

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