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1N916B

工場モデル 1N916B
メーカー onsemi
詳細な説明 DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
パッケージ DO-35
株式 7192317 pcs
データシート Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHS1N91x, 1N4x48, FDLL914, FDLL4x48Mult Dev Wafer Chgs 13/Apr/2020Marking Format 15/Aug/2008
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000 50000
$0.051 $0.047 $0.026 $0.016 $0.011 $0.009 $0.008 $0.007 $0.006
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。7192317のonsemi 1N916Bの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1 V @ 20 mA
電圧 - 逆（VR）（最大） 100 V
技術 Standard
サプライヤデバイスパッケージ DO-35
速度 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 4 ns
パッケージ/ケース DO-204AH, DO-35, Axial
製品属性 属性値
パッケージ Bulk
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 175°C
装着タイプ Through Hole
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 5 µA @ 75 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 200mA
Vrと、F @キャパシタンス 2pF @ 0V, 1MHz
基本製品番号 1N916

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データシート

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