1N5402G
工場モデル | 1N5402G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL |
パッケージ | Axial |
株式 | 915630 pcs |
データシート | onsemi RoHS1N5400 Series Datasheet Update 03/Jun/20081N5400-5408Mult Dev Die Chg 8/Mar/2018 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 | 50000 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
$0.186 | $0.151 | $0.103 | $0.077 | $0.058 | $0.053 | $0.05 | $0.047 | $0.041 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1 V @ 3 A |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 200 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | Axial |
速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | - |
パッケージ/ケース | DO-201AA, DO-27, Axial |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Bulk |
動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 150°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 200 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 3A |
Vrと、F @キャパシタンス | - |
基本製品番号 | 1N5402 |
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