1N4448
工場モデル | 1N4448 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 |
パッケージ | DO-35 |
株式 | 8397992 pcs |
データシート | Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHS1N91x, 1N4x48, FDLL914, FDLL4x48Mult Dev Wafer Chgs 13/Apr/2020Marking Format 15/Aug/2008 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 | 50000 |
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$0.035 | $0.033 | $0.018 | $0.011 | $0.008 | $0.006 | $0.006 | $0.005 | $0.004 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1 V @ 100 mA |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 100 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 |
速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 4 ns |
パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Bulk |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5 µA @ 75 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 200mA |
Vrと、F @キャパシタンス | 2pF @ 0V, 1MHz |
基本製品番号 | 1N4448 |
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