トランジスタ-fet、mosfet-rfは4598製品を見つけました
Infineon Technologies
BF2040E6814
説明:RF N-CHANNEL MOSFET
- Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)1999年4月1日、シーメンス半導体はインフィニオンテクノロジーズになりました。マイクロエレクトロニクスの競争が激しく変化し続ける世界での成功に向けて、ダイナミックでフレキシブルな会社。
インフィニオンは、さまざまなマイクロエレクトロニクスアプリケーションに使用される幅広い半導体の世界的な設計、製造、サプライヤーとして世界をリードしています。インフィニオンの製品ポートフォリオは、デジタル、ミックスド・シグナル、アナログ集積回路、ディスクリート半導体製品などのロジック製品で構成されています。
- モデル:
MRF7S15100HSR3128 - メーカー:
NXP USA Inc. - 説明:
N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE RF PO - 株式:
816
- モデル:
2SK238-T1B-A - メーカー:
Renesas Electronics America Inc - 説明:
RF SMALL SIGNAL FET - 株式:
375526
- モデル:
BLC9H10XS-350AZ - メーカー:
Ampleon USA Inc. - 説明:
BLC9H10XS-350A/SOT1273/TRAYDP - 株式:
1703
- モデル:
MRF24301HSR5 - メーカー:
NXP Semiconductors - 説明:
MRF24301 - RF POWER LDMOS TRANSI - 株式:
1316
- モデル:
PXAE1837078NB-V1-R2 - メーカー:
Wolfspeed, Inc. - 説明:
SI LDMOS AMP 300W 1805-1880MHZ - 株式:
1265
- モデル:
GTVA263202FC-V1-R2 - メーカー:
Wolfspeed, Inc. - 説明:
RF SIC HEMT 340W,2620 - 2690MHZ - 株式:
541
- モデル:
MRF6S27085HR5 - メーカー:
Freescale Semiconductor - 説明:
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR - 株式:
1200
- モデル:
PTFA091201HL V1 R250 - メーカー:
Infineon Technologies - 説明:
IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 - 株式:
4798
- モデル:
BLA9H0912LS-1200PGJ - メーカー:
Ampleon USA Inc. - 説明:
BLA9H0912LS-1200PGJ/SOT539/TRAY - 株式:
220
