ATP212-TL-H
工場モデル | ATP212-TL-H |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK |
パッケージ | ATPAK |
株式 | 5697 pcs |
データシート | DK OBS NOTICELead Frame Material Update 09/Apr/2014Mult Dev EOL 7/Apr/2021onsemi RoHSWafer Fab Transfer 07/Oct/2015 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | - |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | ATPAK |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 23mOhm @ 18A, 10V |
電力消費(最大) | 40W (Tc) |
パッケージ/ケース | ATPAK (2 Leads+Tab) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1820 pF @ 20 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 34.5 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 35A (Ta) |
基本製品番号 | ATP212 |
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